產(chǎn)品等級優(yōu)級品
產(chǎn)地/廠(chǎng)商廣東
是否危險化學(xué)品否
含量≥99.99
品牌鼎偉新材料
氧化鎵的別名是三氧化二鎵，氧化鎵（Ga2O3）是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發(fā)光特性長(cháng)期以來(lái)一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線(xiàn)濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測器
該材料在各種應用中的靈活性源于其廣泛的可能導電性 - 由于其電場(chǎng)強度，從高導電性到非常絕緣性和高擊穿電壓能力。因此，氧化鎵可以達到極端程度。大面積的氧化鎵晶圓也可以從熔體中生長(cháng)，從而降低了制造成本
LOSFIA在日本成功地了使用實(shí)現常關(guān)MOSFET 的可能性 。這是一項具有開(kāi)創(chuàng )性的工作，因為生產(chǎn)常關(guān)MOSFET一直被認為挑戰性。FLOSFIA計劃制造剛玉（corundum，一種晶體結構）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，從TO-220中的肖特基勢壘二極管（SBD）開(kāi)始，然后是MOSFET。
Ga2O3能與氟氣反應，生成GaF3，Ga2O3溶于50%的HF中得到產(chǎn)物GaF3·3H2O。Ga2O3能溶于微熱的稀硝酸、稀鹽酸和稀硫酸中。經(jīng)過(guò)灼燒的Ga2O3不溶于這些酸甚至于，也不溶于強堿的水溶液中，只能通過(guò)NaOH、KOH或KHSO4和K2S2O7一起熔融才能使它溶解。與過(guò)量?jì)杀兜腘H4Cl在250℃一起熔融生成氯化鎵。在紅熱時(shí)，Ga2O3與石英反應形成玻璃體，但冷卻時(shí)沒(méi)有新化合物生成。紅熱時(shí)也能和上釉的瓷坩堝發(fā)生反應。
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