產(chǎn)品等級優(yōu)級品
產(chǎn)地/廠(chǎng)商廣東
是否危險化學(xué)品否
含量≥99.99
品牌鼎偉新材料
LOSFIA在日本成功地了使用實(shí)現常關(guān)MOSFET 的可能性 。這是一項具有開(kāi)創(chuàng )性的工作，因為生產(chǎn)常關(guān)MOSFET一直被認為挑戰性。FLOSFIA計劃制造剛玉（corundum，一種晶體結構）α-Ga 2 O 3功率器件，GaO 系列，從TO-220中的肖特基勢壘二極管（SBD）開(kāi)始，然后是MOSFET。
半導體二氧化鈦的光化學(xué)性能已使其可用于許多領(lǐng)域，如空氣、水和流體的凈化。以碳或其他雜原子摻雜的光催化劑也可用于具有散射光源的密封空間或區域。用于建筑、人行石板、混凝土墻或屋頂瓦上的涂料中時(shí)，它們可以明顯增加對空氣中污染物如氮氧化物、芳烴和醛類(lèi)的分解。
二氧化鋯（化學(xué)式：ZrO2）是鋯的主要氧化物，通常狀況下為白色無(wú)臭無(wú)味晶體，難溶于水、鹽酸和稀硫酸。一般常含有少量的二氧化鉿?；瘜W(xué)性質(zhì)不活潑，且具有高熔點(diǎn)、高電阻率、高折射率和低熱膨脹系數的性質(zhì)，使它成為重要的耐高溫材料、陶瓷絕緣材料和陶瓷遮光劑，亦是人工鉆的主要原料。能帶間隙大約為5-7eV
氧化鎵開(kāi)辟了我們用現有半導體無(wú)法實(shí)現的新可能性
http://www.yajieda.com
