產(chǎn)地廣東
品牌鼎偉新材料
貨號陶瓷靶材
品名氮化物靶材
純度99.9%
氮化鈦（TiN）是相當穩定的化合物，在高溫下不與鐵、鉻、鈣和鎂等金屬反應，TiN坩堝在CO與N2氣氛下也不與酸性渣和堿性渣起作用，因此TiN坩堝是研究鋼液與一些元素相互作用的優(yōu)良容器。TiN在真空中加熱失去氮，生成氮含量較低的氮化鈦
在探測器方面，已研制出GaN紫外探測器，波長(cháng)為369nm，其響應速度與Si探測器不相上下。但這方面的研究還處于起步階段。GaN探測器將在火焰探測、預警等方面有重要應用。
GaN是極穩定的化合物，又是堅硬的高熔點(diǎn)材料，熔點(diǎn)約為1700℃，GaN具有高的電離度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是的（0.5或0.43）。在大氣壓力下，GaN晶體一般是六方纖鋅礦結構。它在一個(gè)元胞中有4個(gè)原子，原子體積大約為GaAs的一半。因為其硬度高，又是一種良好的涂層保護材料。
因為GaN是寬禁帶半導體，極性太大，則較難以通過(guò)高摻雜來(lái)獲得較好的金屬-半導體的歐姆接觸，這是GaN器件制造中的一個(gè)難題，故GaN器件性能的好壞往往與歐姆接觸的制作結果有關(guān)?，F在比較好的一種解決辦法就是采用異質(zhì)結，首先讓禁帶寬度逐漸過(guò)渡到較小一些，然后再采用高摻雜來(lái)實(shí)現歐姆接觸，但這種工藝較復雜?？傊?，歐姆接觸是GaN器件制造中需要很好解決的一個(gè)主要問(wèn)題。
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