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高純鉻靶的目標雜質(zhì)控制:如果靶中的夾雜物數量過(guò)多,則在濺射過(guò)程中可能在晶片上形成顆粒,從而導致互連線(xiàn)短路或斷開(kāi),這將嚴重影響膜的性能。高純鉻靶中的大多數夾雜物是在冶煉和鑄造過(guò)程中形成的,主要由氧化物組成,但也包括氮化物,碳化物,氫化物,硫化物,硅化物等,因此應在冶煉和鑄造過(guò)程中使用。坩堝,內部 流道,鑄模等由還原性材料制成,在澆鑄之前,應將熔體表面的氧化物和其他爐渣徹底清除。 通常,它們在真空或無(wú)氧環(huán)境中熔融并澆鑄。鉻靶批發(fā)、鉻靶價(jià)格在市場(chǎng)也是不一樣的。
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